При разработке силовых схем, где необходимо достичь высокой эффективности, а также необходимо повышать не только ток, но и напряжение, традиционные устройства на 100В уже не удовлетворяют повышенным требованиям по мощности и требуют более сложные технические решения. Если повышать напряжение до 200В, то приходится использовать большие корпуса типа 220/263, которые значительно увеличивают занимаемое пространство. Новый 200В SGT MOSFET снимает эти ограничения и позволяет при сохранении размеров значительно увеличить мощность.
VBGQA1202N – решение, которое разрушает стереотипы.
Новый SGT MOSFET помогает решить целый ряд проблем:
1. Превосходные характеристики:- Компактный корпус DFN8 (5X6), что на 60% меньше по сравнению с традиционными корпусами
- Рабочее напряжение 200В (VDS)
- Низкое сопротивление включения 10мОм@10В
- Выходной ток 50А
- Технология MOSFET – SGT (Shield Gate Trench)
2. Революционная упаковка.
VBGQA1202 это большой шаг вперед, обеспечивая преобразование тока 200В/50А в корпусе DFN8 5X6 мм. Этого удалось добиться благодаря инновационной технологии 3D упаковки и улучшенного процесса SGT (Shielded Gate Trench). При этом значительно сокращается занимаемое место на плате по сравнению с традиционными решениями в корпусах 220/263 – до 60% меньше места на плате. Также данный корпус обеспечивает отличные характеристики по рассеиванию тепла благодаря специальным каналам в корпусе, что снижает термическое сопротивление от кристалла к окружающей среде на 40%. Ну и в дополнение, корпус DFN более технологичный для автоматизированной сборки.
За дополнительной информацией можно обращаться по электронной почте: sale@icgamma.ru
Оригинал новости: https://www.vbsemi.com/index.php?id=457029
